タイプIIハーフブリッジ構成は、曲げ歪みのみ測定します。



以下の図は、タイプIIハーフブリッジの曲げ構成における歪みゲージの抵抗の配置を示します。



タイプIIハーフブリッジの構成には、以下の特徴があります。

  • 2つのアクティブな歪みゲージ検出部があります。そのうち1つは歪み試験片の上面に軸歪み方向で取り付けられ、もう1つは歪み試験片の下面に軸歪み方向で取り付けられます。
  • ハーフブリッジ構成抵抗のための構成抵抗があります。
  • 曲げ歪みを感知します。
  • 軸歪みは無視されます。
  • 温度補正を行います。
  • 1000 µεでの感度は～1 mVout / VEX入力です。

タイプIIハーフブリッジ回路図

図 4. タイプIIハーフブリッジ回路図

タイプIIハーフブリッジ回路図
回路図では次の記号が使用されています。
  • R1—ハーフブリッジ構成抵抗。
  • R2—ハーフブリッジ構成抵抗。
  • R3—圧縮歪み (-ε) を測定するアクティブ歪みゲージ検出部。
  • R4—引っ張り応力 (+ε) を測定するアクティブ歪みゲージ抵抗。
  • VEX—励起電圧。
  • RL—リード線抵抗。
  • VCH—測定された電圧。

    • 以下の式は、タイプIIハーフブリッジ構成のために電圧比を歪み単位に変換します。

    歪み ( ε ) = - 2 V r GF x ( 1 + R L R g )
    ここで、
    • Vrは、仮想チャンネルで電圧から歪みへの変換の式に使用される電圧比です。
    • GFは、ゲージ率です。
    • RLは、リード線抵抗値です。
    • Rgは、ゲージ公称抵抗値です。