以下の図は、タイプIハーフブリッジの軸構成における歪みゲージの抵抗の配置を示します。



以下の図は、タイプIハーフブリッジの曲げ構成における歪みゲージの抵抗の配置を示します。



タイプIハーフブリッジの構成には、次の特徴があります。
  • 2つのアクティブな歪みゲージ検出部があります。そのうち1つは軸歪み方向に取り付けられ、もう1つはポアソンゲージとして歪みの主軸に対して直角方向または垂直方向に取り付けられます。
  • ハーフブリッジ構成抵抗のための構成抵抗があります。
  • 軸歪みと曲げ歪みの両方を感知します。
  • 温度補正を行います。
  • 試験片のポアソン比の主歪み測定値に対する全体的な影響を補正します。
  • 1000 μεでの感度は～0.65 mVout/ VEX入力です。

タイプIハーフブリッジ回路図



回路図では次の記号が使用されています。
  • R1は、ハーフブリッジ構成抵抗です。
  • R2は、ハーフブリッジ構成抵抗です。
  • R3は、アクティブな歪みゲージ検出部で、ポアソン効果 (-ε) による測定値の圧縮を測定します。
  • R4は、引っ張り応力 (+ε) を測定するアクティブな歪みゲージ検出部です。
  • VEXは、励起電圧です。
  • RLは、リード線抵抗値です。
  • VCHは、電圧測定値です。

以下の式は、タイプIハーフブリッジ構成のために電圧比を歪み単位に変換します。



ここで、Vrは仮想チャンネルが電圧から歪みへの変換の計算に使用する電圧比、GFはゲージ率、vはポアソン比、RLはリード抵抗値、Rgはゲージ公称抵抗値です。