使用DGS测试确定新的故障影响
动态栅极应力测试可帮助工程师验证SiC和GaN器件。
- 确定并仿真传统测试方法不可见的故障影响
- 使测试流程更加贴近实际应用，并向客户提供准确声明
- 使用快速电压偏移来激励栅极的故障机制
- 原位测量确定相关参数，以显示动态栅极应力对栅极氧化物的长期影响
- 全自动测试可满足行业的扩展需求，并为深入数据分析提供详细报告
NI SET DGS功率半导体测试系统
DGS测试系统将行业的扩展需求转换为自动化动态测试，强调快速适应变化需求的灵活性。
除激励外，DGS测试系统还提供多个原位测量，以确定规定时间段内的相关参数。
原位测量可有效显示动态栅极应力对栅氧化物的长期影响，并支持您为客户提供准确声明。
NI解决方案的优势
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支持多达240个DUT，热/冷板温度范围为20 ℃至200 ℃。
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提供高达1.5 kV的高压漏极激励和高达1500 V的最大漏极电压，两者均可通过软件配置。
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具有高达1 V/ns的高栅极dV/dt激励，以及高达±30 V的软件可配置电压。
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提供0 Hz～500 kHz的可配置输出频率和25%～75%的占空比设置（按5%递增）。
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可使用针对特定应用的栅极驱动器进行测试，以进行有针对性的评估。
《功率半导体过山车》：是否漂移？(DGS)
宽带隙半导体测试挑战
副总裁兼技术负责人Frank Heidemann解释了如何通过电压变化对栅极施加应力以产生陷阱效应，从而在宽带隙半导体中引起Vth和RDS(on)的漂移，这对于揭示这些元器件的效率损失至关重要。
利用NI生态系统，构建解决方案
NI提供了各种集成解决方案供您选择，可满足您的特定应用需求。您可以将系统集成工作完全交给公司内部的集成团队，也可寻求NI以及遍布全球的NI合作伙伴联盟的帮助，获取完整的一站式解决方案。
服务与支持
在应用的整个生命周期中，NI将与客户携手同行，随时提供培训、技术支持、咨询和集成服务以及维护计划。您的团队可以参与到NI不同地区的用户组，从而获取新技能，也可通过在线培训和面授培训来提高自身的技能水平。
NI合作伙伴是独立于NI的商业实体，与NI之间不存在代理或合资关系，亦不属于NI相关业务的一部分。